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銦是一種非常重要的戰略稀散金屬,是制備ITO、銅銦鎵硒、銻化銦、磷化銦、砷化銦等化合物半導體的重要基礎材料、廣泛應用于軍工、航天航空、平面顯示、光電信息、太陽能電池等領域,屬于國家《中國制造2025》中重點發展的稀有金屬功能新材料之一。
A:將5N級以上純銦水萃成銦花;
B:將銦花用硫酸溶解,然后用高純水稀釋,得到銦電解初液;所述銦電解初液制備用高純水的電阻率在15兆歐以上;
C:往銦電解初液中加入氯化鈉、明膠,調pH值得到最終電解液;所述最終電解液中,In3+濃度為50g/L、NaCl濃度為60g/L、pH值為1.5;
將步驟一得到的電解液裝入電解裝置中,放入陽極、陰極,接通電源開始電解,并在電解過程中,電解液溫度控制為15℃,電流密度控制為20A/m2,極距控制為40mm,并同時周期性取出陰極產品清洗烘干,得到產物高純銦;所述陽極為4N~4N5級的純銦,所述陰極為鈦板,導電部分為鈦包銅結構;
其中,極距會隨著生產時間延長,陽極逐漸溶解而變大,引起電解槽電壓升高,適當降低電流強度來保證產物銦的質量;
定期檢測監控電解液pH值:當電解液pH值偏小時,適當添加固體氫氧化鈉顆粒進行中和,添加過程注意攪拌均勻,避免局部電解液pH值過大,產生水解;當電解液pH值偏大時,緩慢加入硫酸,并注意攪拌均勻,避免加酸過量;
定期檢測監控銦離子濃度:電解液銦離子濃度偏低時,適當降低電流強度,減緩貧化產生步伐,同時適當補充電解原液;電解液銦離子濃度偏高時,適當添加高純水,進行稀釋;
定期檢測監控氯化鈉濃度:電解液氯化鈉濃度偏低時,適當添加純氯化鈉顆粒,采用少量多次添加方式,并對電解液充分攪拌及循環,避免電解液局部濃度過大。
[1] [中國發明] CN201910802678.4 制備高純銦的方法