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ⅢA和ⅣA族元素的氮化物由于具有優異的力學性質和熱力學性能,通常可以作為高溫結構材料、催化劑、發光二極管和難熔陶瓷來使用。目前的實驗和理論研究都主要集中在BN和Si3N4材料上,關于氮化鍺(Ge3N4)的研究相對較少。實際上,因為Ge原子比Si原子的載流子遷移率高,所以用鍺制造的半導體場效應管具備更加優異的性能。鍺原子的半徑較大,因此Ge3N4發生相變的臨界壓強要低于Si3N4的相變壓。氮化鍺還具有耐腐蝕、硬度高、帶隙可調節等優點,因此具有很大的應用前景。
倉玉萍等人采用量子化學從頭算方法,對Ge3N4的四方、單斜和正交結構同質異相體的微結構、態密度和聲子譜進行了研究。形成焓為負值、彈性常數滿足Born穩定性準則和聲子譜無虛頻等結果證實在020GPa范圍內3種相都能保持結構穩定。溫度變化影響到晶胞體積,從而使體模量發生改變。3種Ge3N4都屬于半導體,Ge原子和N原子之間存在明顯的s-p雜化現象。當壓強增大時誘發了離域電子,從而使體系的帶隙減小。本研究還采用準諧近似對Ge3N4的熱力學性質進行了研究,結果表明,溫度和壓強對熱膨脹系數、熵、熱容、德拜溫度和格林愛森參數產生了明顯影響。m-Ge3N4和t-Ge3N4的熱膨脹系數分別為o-Ge3N4的3倍和2倍。t-Ge3N4和o-Ge3N4的晶格諧振頻率基本不受溫度的影響。
陳東等人采用第一原理框架下的平面波+贗勢方法,對Ge3N4的三種新結構進行了計算。計算結果表明四方、單斜和正交結構的氮化鍺滿足力學和熱力學穩定條件,都可以穩定存在。o-Ge3N4的抗剪切能力和硬度都是三者之中最高的。本文得到了三種相的聲子譜,即介電函數、能量損失譜和光吸收譜;研究發現在可見光區域三相的吸收都很弱,主要呈現出紫外吸收特征。介電函數虛部的峰值是由N-2p軌道的電子向Ge-4s和4p軌道躍遷形成的。聲子譜表現出N原子和Ge原子雜化的特征。
[1]倉玉萍,陳東,楊帆,楊慧明。氮化鍺多形體的四方、單斜和正交畸變的理論研究[J]。高等學?;瘜W學報,2016,37(04):674-681。
[2]陳東,姚曉玲,楊帆,楊慧明。三種新型氮化鍺材料的第一原理原子尺度研究[J]。信陽師范學院學報(自然科學版),2017,30(01):32-36。