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氧化銦是一種無機化合物，化學式為In2O3，是一種兩性氧化物，且為銦最穩定的氧化物。
塊狀樣品可通過銦（Ⅲ）的氫氧化物、硝酸鹽、碳酸鹽或硫酸鹽的熱分解來制備。氧化銦的薄膜可以通過在氬/氧氣中銦靶的濺射沉積來制備。它們可被用作半導體的擴散阻擋層（“阻擋金屬”），例如可抑制鋁和硅之間的擴散。
氧化銦在700℃分解為氧化亞銦（一氧化二銦），其于2000℃進一步分解。
淡黃色的氧化銦可溶于酸和堿，但棕紅色的相對難溶。和氨在高溫下反應，形成氮化銦。
In2O3+2NH3→ 2InN + 3H2O
同樣地，氧化銦也能被氫氣還原，產生氧化亞銦或金屬銦：
In2O3+ 3 H2→ 2 In + 3 H2O
In2O3+ 2 H2→ In2O + 2 H2O
氧化銦和Cs2O在600℃反應，可以得到無色吸濕性的偏銦酸銫（CsInO2）[4]；K2O和銦可以形成分子式為K5InO4的化合物，其中有四面體結構的InO45−。
和一些三價金屬氧化物反應，可以形成鈣鈦礦結構的化合物，例如：
In2O3+Cr2O3→ 2 InCrO3
氧化銦被使用在一些類型的電池，對可見光透明的薄膜紅外線反射鏡（熱鏡），一些光學涂層，有的抗靜電涂料。二氧化錫的組合，氧化銦形式的氧化銦錫（也稱為錫摻雜的氧化銦或ITO）用于透明導電涂層的材料。
在半導體中，氧化銦可以作為一種n型半導體，用于集成電路中的電阻器。
在組織學，氧化銦被用作一些染色劑配方的一部分。