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10026-04-7 / 四氯化硅的制備純化方法及應用

背景及概述[2]

四氯化硅又稱氯化硅,無色透明、低粘度液體有可燃性和窒息性。因本品硅氯鍵有很強的極性,與親核試劑可發生激烈反應,并放出氯化氫氣體。例如,與水接觸就劇烈反應,放出大量熱,水解生成硅酸,放出氯化氫而產生煙霧;與氨反應生成硅烷基胺;與乙醇或苯酚反應生成硅酸酯;在高溫(1000℃) 下可被氫氣還原,產生元素硅;與金屬氫化物,如氫化鋰、氫化鈉、氫化鋁鋰及硼氫化物等還原劑反應,可生成硅烷;與格氏試劑反應,也以生成四烴基硅烷或部分烴基硅烷;在高溫下也能與氧反應,但在低溫下對氧是穩定的。刺激皮膚、呼吸器官、粘膜。

四氯化硅的制備純化方法及應用

制備[2]

①碳化硅的直接氯化。

SiC+2Cl2→[1]+C

②二氧化硅與炭一起氯化,可制得[1]。

SiO2+2C+2Cl2→[1]+2CO

③工業用硅、硅鐵、硅鈣等在400℃時氯化,均可制得[1]。

Si+2Cl2→[1]

Fe-Si+2Cl2→[1]+Fe

Ca-Si+2Cl2→[1]+Ca

④制造高純硅時的副產物。從粗硅制備半導體用高純硅時,采用鹽酸與硅反應,先制成三 氯硅烷(SiHCl3),在三氯硅烷精餾時,用氫還原,可制得多晶硅,在此過程中副產[1]。

2HSiCl3→[1]+Si+2HCl

⑤從鈦礦制金屬鈦時,礦石中的鈦生成 TiCl4,硅石中的硅則生成SiCl4,再進行精制,可獲得[1]。

⑥從鋯礦制金屬鋯或四氯化鋯時,也可副產[1]。

純化方法[1]

制備光纖用超純四氯化硅的方法主要包括精餾法、吸收法、部分水解法、絡合法、光氯化法等。其中精餾塔和吸收法屬于物理法,僅可制備一定純度的四氯化硅,在制備光纖用超純四氯化硅時存在問題;部分水解法、絡合法和光氯化法屬于化學法,通過反應去除四氯化硅中的雜質,可以用于制備光纖用超純四氯化硅,但因部分水解法和絡合法具有操作困難和無法大規模生產的缺點,其應用受到限制,而光氯化法不存在上述問題。

目前國內在大規模制備光纖用超純四氯化硅方面還處于空白。北京有色研究總院公開了一種精餾式光氯化反應裝置(專利申請號:200910260296.X),此裝置僅適用于實驗室研究,無法實現連續生產和有效工業放大。武漢新硅科技有限公司公開了一種光纖用高純四氯化硅的連續精餾方法,雖解決了連續和大規模生產的問題,但四氯化硅的純度無法達到超純要求。因此,現有的純化四氯化硅的技術還有待進一步研究。

CN201410299615.9提出一種純化四氯化硅的方法,該方法可以顯著提高四氯化硅的純度,從而得到光纖用級別的超純四氯化硅。在本發明實施例的一個方面,本發明提出了一種純化四氯化硅的方法,包括:

(1)利用粗四氯化硅吸收氯氣,以便得到吸收飽和的粗四氯化硅,其中,所述粗四氯化硅含有三氯氫硅;

(2)將步驟(1)得到的所述吸收飽和的粗四氯化硅進行光氯化反應,以便得到光氯化反應產物,其中,所述光氯化反應使所述三氯氫硅轉化為四氯化硅;

(3)采用氮氣對步驟(2)得到的所述光氯化反應產物進行氣提處理,以便分離未反應的氯氣,并且得到氣提后四氯化硅;

(4)將步驟(3)得到的所述氣提后四氯化硅進行第一精餾處理,以便得到塔頂尾氣 和經過第一精餾處理的四氯化硅;以及(5)將步驟(4)得到的所述經過第一精餾處理的四氯化硅進行第二精餾處理,以便得到塔釜液和經過純化的四氯化硅。

根據本發明實施例的純化四氯化硅的方法通過將吸收、光氯化反應、氣提和精餾處理相結合,并且保證在四氯化硅吸收氯氣飽和的情況下進行光氯化反應,可以顯著提高光氯化反應效率,進而可以制備得到光纖用級別的四氯化硅,從而解決了光氯化反應效率低和無法大規模連續生產的問題。

應用 [2]

用于制造高分散性硅膠,這是一種超微細的無水二氧化硅,具有增粘性、觸變性、流動性、增強性等優點,可用于涂料、印刷油墨、漆、合成樹脂、橡膠、醫藥、潤滑脂、蠟及飼料等方面;也用作軍事用煙霧毒氣;也是制造硅酸乙酯(用作防銹涂料的展色劑、砂型粘合劑、耐火涂膜材料) 的原料;制造半導體材料高純度特殊氣體;高純度的本品可用于特種玻璃及光導纖維等。

主要參考資料

[1] CN201410299615.9 純化四氯化硅的方法

[2]實用精細化工辭典